У нас уже 17884 рефератов, курсовых и дипломных работ
Заказать диплом, курсовую, диссертацию


Быстрый переход к готовым работам

Мнение посетителей:

Понравилось
Не понравилось





Книга жалоб
и предложений

 





Название Технологічний процес створення мезафаски на структурі приладу Т115
Количество страниц 68
ВУЗ
Год сдачи
Содержание Реферат

Пояснювальна записка до курсового проекту містить 38 сторінок, 3 таб¬лиці, 7 рисунка, 10 джерел літератури.
Об’єктом проектування є тиристор Т115.
Мета роботи – дослідити технологічний процес створення мезафаски на структурі приладу Т115.
Метод проектування – технологічно-розрахунковий.
Курсовий проект складається з двох розділів.
У загальному розділі описані загальні відомості про прилад Т115, основні етапи процесу фотолітографії, призначення операцій фотолітографії
Технологічно-розрахунковий розділ містить технологічну схему виготовлення приладу Т115, розрахунок дифузійної структури приладу Т115, визначення послідовності операцій процесу створення мезафаски, розробку комплекту технологічної документації, характеристики устаткування для проведення процесу створення мезафаски, охорону праці та техніку безпеки на дільниці фотолітографії.

ФОТОЛІТОГРАФІЯ, МЕЗАФАСКА, ЗНЯТТЯ ФОТОРЕЗИСТУ, СТРУКТУРА, ЗАГОНКА, СУМІЩЕННЯ, ДИФУЗІЯ, КОМПЛЕКТ, ДІЛЬНИЦЯ, УСТАТКУВАННЯ.



Вступ
В наш час напівпровідникові прилади отримали широке застосування в радіоелектроніці. Вони використовуються в засобах зв'язку, навігаційній та радіолокаційній апаратурі, пристроях автоматики. За допомоги напівпровідникових приладів можна вирішувати цілий ряд завдань сучасної техніки, отримувати малогабаритне, надійне та довговічне обладнання. Таке велике значення напівпровідникових приладів обумовлено наявністю у них цілого ряду переваг, таких як: відсутність старіння матеріалу при електронному механізмі електропровідності; малі габарити та маса приладів; простота та надійність конструкції. Якість напівпровідникових приладів в дуже великому ступені залежить від властиво¬стей напівпровідникового елемента, який використовується при їх виготовленні.
Відпрацьовані і налагоджені технологічні процеси виробництва дають можливість випускати високоякісні силові напівпровідникові прилади різних типів: діоди, тиристори, оптоприлади та різноманітні модулі. Одне з підприємств, яке зробило вагомий внесок у розвиток електроніки на Україні, є Відкрите акціонерне товариством «Український науково-дослідний інститут силової електроніки «Перетворювач» (ВАТ НДІ «Перетворювач»).
Найважливішим процесом планарної технології є фотолітографія. Сучасний стан і тенденції розвитку мікроелектроніки ставлять перед фотолітографією нові й усе більш складні задачі, обумовлені насамперед подальшою мініатюризацією елементів схем і різким підвищенням вимог до точності процесів фотолітографії. Крім того, при масовому виробництві інтегральних мікросхем особливу гостроту здобуває проблема відтворюваності фотолітографічного процесу, його технологічної стійкості. Без рішення цієї проблеми неможлива ефективна автоматизація виробництва інтегральних мікросхем і керування якістю продукції.





Зміст

Вступ……………………………………………………………………………… 4
1 Загальний розділ…………………………………………………………........... 5
1.1 Короткі відомості про тиристор Т 115……………………………………… 5
1.2 Основні етапи процесу фотолітографії……………………………………… 8
1.3 Призначення операції фотолітографії……………………………………… 14
2 Технологічно-розрахунковий розділ…………………………………………. 15
2.1 Технологічна схема виготовлення структури приладу Т 115……………. 15
2.2 Розрахунок дифузійної структури приладу Т 115…….……………............ 18
2.3 Визначення послідовності операцій процесу створення мезафас-ки………………………………………………………………………..……………. 20
2.4 Розробка комплекту технологічної документації процесу створення мезафас-ки………………………………………………………………………………….………. 22
2.5 Устаткування для проведення процесу створення мезафас-ки…………………………………………………………….…………………… 24
2.6 Охорона праці та техніка безпеки на дільниці фотолітографії ………… 26
2.6.1 Техніка безпеки при роботі з лугами, кислотами і органічними розчин-никами ……………………………………………………………………………… 26
2.6.2 Техніка безпеки при роботі з електроустановками до 1000 В …………. 27
2.6.3 Протипожежні заходи…………………………………………………….. 28
Висновки………………………………………………………………………… 32
Список літератури……………………………………………………………… 33
Додаток А – Графічні залежності для проведення розрахунків……………... 34
Додаток Б – Комплект технологічної документації………………………... 38
Список литературы Список літератури

1. Моряков О.С. Будова і наладка устаткування напівпровідникового виробництва. М., В.Ш., 1989.
2. Миклашевський С.П. Примышленная электроника. – М.:Высшая школа, 1973. – 351 с.
3. Гершунский Б.С. Основы электроники и микроэлектроники. – Высшая школа, 1987.- 442с.
4. Курносов А.Н. Технология производства полупроводниковых приборов.-М.: Высшая школа, 1979-282с.
5. Ступельман В.Ш., Филаретов Г.А. Полупроводниковые приборы. – М.: Советское радио, 1973-248с.
6. Булкин А.Д., Якивчик Н.И. Технология и оборудование производства силовых полупроводниковых приборов. М.: Энергоиздат, 1984-250с.
7. Овечкин Ю.А. Полупроводниковые приборы.-М.: Высшая школа, 1974.- 302с.
8. Пасынков Ю.А. и др. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая школа, 1973.- 398с.
9. Васильчук М.В. Основы охорони праці. Підручник.-К.: Просвіта, 1997.-208с.
10. Комплект технологічної документації до процесу фотолітографія на структурі приладу Т 115 – Запоріжжя: ТОВ „Елемент-Перетворювач”.
Стоимость доставки работы, в гривнах:

(при оплате в другой валюте, пересчет по курсу центрального банка на день оплаты)		 150





Найти готовую работу


ЗАКАЗАТЬ

Обратная связь:


Связаться

Доставка любой диссертации из России и Украины

Вход для партнеров

Регистрация

Восстановить доступ

Материал для курсовых и дипломных работ


Ссылки:

Выполнение и продажа диссертаций, бесплатный каталог статей и авторефератов

Счетчики:

Besucherzahler
счетчик посещений

© 2006-2024. Все права защищены.
Выполнение уникальных качественных работ - от эссе и реферата до диссертации. Заказ готовых, сдававшихся ранее работ.